确保您受益于极低的功耗、出色的抖动值、低廉的价格以及出色的样片和批量供货能力。XO的频率稳定性为±10ppm，温度范围为-40/+85°C，外壳为3.2×2.5毫米，TC和VCTCXOs的温度稳定性为±2.5ppm，温度范围为-40/+85°C。LV CMOS、LVDS和CML版本的电源电压为1.8VDC，LVPECL、HCSL和LVDS为2.5 VDC。硅差分振荡器适合取代石英晶体振荡器和MEMS振荡器，因此具有全面的节约潜力。

根据版本的不同，差分低功耗硅振荡器的产品范围包括1.0–625 MHz频率范围内的解决方案，包括专门针对10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道和PCI Express的要求而优化的版本。例如，差分硅振荡器的典型应用领域是电信、网络、以太网、仪器仪表、存储、服务器和工业控制系统应用。

与传统的差分石英晶振相比，差分硅振荡器所需的功耗不到一半，频率稳定性在-40/+85°c范围内为±10 ppm。Abracon Crystal提供的解决方案包括1.8 VDC起的LVCMOS、LVDS和CML输出信号，或2.5 VDC起的LVPECL、HCSL和LVDS输入信号。

Abracon Crystal的差分硅振荡器提供6Pad 3.2×2.5、5.0×3.2和7x5mm外壳，可用于与石英差分振荡器相同的布局，作为石英解决方案的直接替代产品。为了能够在不使用时将功耗降低到10 A，所有版本都在引脚1上配备了ST(待机)功能。保证上电后最大10ms的极快瞬态响应，以及第一年后最大+-1ppm的出色低老化性能。

只要在下午2点之前向我们订购样品，差分硅振荡器的样品就可以在-40/+85°C范围内以1.8–3.3 VDC在1–625 MHz范围内以+-20ppm的频率在同一天交付。如果需要其他参数，也可以在很短的交付时间内提供样品振荡器或系列数量。

TC&VCTCXO差分版本在-40/+85°C范围内的温度稳定性为+-2.5ppm，10年老化时间为+-5ppm(标准值),并且由于其高达+-50 ppm的极高控制电压范围而脱颖而出。此外，TC&VCTCXO解决方案还具有极低的抖动值、极低的功耗、极小的外壳尺寸和极具吸引力的价格。

使用差分硅振荡器可能会产生全面的节约潜力。数据表中提供了接线说明。如果数据不足以进行快速设计，经验丰富的彼得曼技术专家可以随时提供帮助和建议。专业的工程设计使ABRACON CRYSTAL能够相应地支持其客户，以确保在极短的时间内上市。适应供应链的定价和物流系统旨在帮助客户最大限度地降低开发、认证、零件、采购和基础设施成本，并增强其动态灵活性。